| Форма входа |
|
 |
| Меню сайта |
|
|
| Разное |
|
|
|
| Сейчас на сайте |
Онлайн всего: 9 Гостей: 9 Пользователей: 0 |
|
|
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
|
| 24.08.2009, 20:42 |
Случайный текст с реферата
Государственный комитет РФ по высшему образованию Новгородский Государственный университет им Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники ”Расчет Распределения Примесей В Кремнии При КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ Очистке И Диффузионном ЛЕГИРОВАННИИ” Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине ”Физико-химические основы технологии микроэлектроники” Выполнил Студент группы 7033у Н.Е.Родин Проверил Преподаватель кафедры ФТТМ Б.М.Шишлянников 1998 Техническое задание на курсовую работу по дисциплине «Физико-химические основы технологии микроэлектроники» Студенту гр 7033 Родину Н.Е. 1 Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). материал кремний примеси Ga,P и Sb исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых) Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин. 2 Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si-Ga и представить графически область суще...
|
| Категория: Аппаратное обеспечение и компьютерные сети | Добавил: fozzy
(192.0 Kb)
|
| Просмотров: 261 | Загрузок: 83
| Рейтинг: 0.0 |
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи. [ Регистрация | Вход ] |
|
